产品结构
product structure
产品特性
Product features
1.使用独立研发的薄入射电极,能量范围可达3keV~10MeV
2.产品系列齐全,相对探测效率覆盖10%至60%
3.能量分辨率、峰形指标优异,稳定性好
4.具有优异的耐中子辐照能力
5.提供多种前置放大器、冷指形状、端窗、制冷方式选项
6.兼容性好,适配市场上主流谱仪产品
产品介绍
Product introduction
GCN型高纯锗探测器由清华大学团队自主研发，具有全部自主知识产权。探测器配备高性能低噪声前端电子学，能够长期维持高真空稳定运行。
GCN型高纯锗探测器由超高纯度的圆柱形锗单晶制成，其纯度可达12N~13N,是世界上人工制成的最纯净的物质。锗单晶电极外表面为P+电极,使用硼离子注入技术制造，厚度约0.3um;孔内为N+电极,使用独立研发的特殊工艺制造，其厚度约为0.3mm。
制冷方式
Refrigeration method
GCN型高纯锗探测器型号与性能指标 | |||||||
型号 | 相对探测效率 | 能量分辨率(keV) | 峰形指标 | 峰康比 | 端窗直径 | ||
(%) | @5.9keV | @122keV | @1332keV | (FW.1M/FWHM) | (typ.) | (mm) | |
GCN-10 | 10 | 0.70 | 0.90 | 1.90 | 2.00 | 36 | 76 |
GCN-20 | 20 | 0.70 | 0.90 | 1.90 | 2.00 | 48 | 76,83 |
GCN-30 | 30 | 0.80 | 1.00 | 2.00 | 2.00 | 54 | 76,83,95 |
GCN-40 | 40 | 0.80 | 1.10 | 2.10 | 2.00 | 56 | 83,95 |
GCN-50 | 50 | 0.90 | 1.10 | 2.20 | 2.00 | 58 | 95 |
| GCN-60 | 60 | 1.00 | 1.20 | 2.30 | 2.00 | 60 | 95 |
| GCN型高纯锗探测器 | 标准配置 | 可选配置 |
前置放大器 | 低噪声阻容反馈前置放大器 | 高计数率脉冲反馈前置放大器(-PF) |
端窗 | 碳窗(-WC) | 铍窗(-WB) 铝窗(-WA) |
制冷形式 | 普通液氮杜瓦制冷 | 电制冷(-DE) 混合制冷(-DH) |
冷指形式 | 垂直冷指 | L型冷指(-CL) U型冷指(-CU) |
线缆 | 配备1.5m长电缆 ·1根高压输入(SHV) ·1根前放供电(DB9) ·1根信号输出(BNC) ·1根高压保护输出(BNC) ·1根测试信号输入(BNC) | 可定制 |
| 低本底 | 否 | 可选低本底或超低本底材料选项 |
采用主流制造商的数字高纯锗谱仪测试,订货时请注明您适配的主流数字谱仪型号;
*根据GB/T7167-2008测试,兼容|EEE Std 325-1996等国际标准;
**相对探测效率高于100%的型号,请联系我们确认库存。