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GSB型小电极宽能高纯锗探测器

产品结构

product structure


产品特性

Product features

1.小电极结构可以获得更优异的探测能量分辨力

2.使用独立研发的薄入射电极,能量范围可达3keV~10MeV

3.产品系列齐全,相对探测效率覆盖10%至60%

4.能量分辨率、峰形指标优异,稳定性好

5.提供多种前置放大器、冷指形状、端窗、制冷方式选项

6.兼容性好,适配市场上主流谱仪产品



产品介绍

Product introduction

GSB型小电极宽能高纯锗探测器采用小电极结构，有效减少探测器电容，可以获得比P型同轴探测器更好的探测器能量分辨率,同时采用清华大学团队自主研发的新型电极工艺,死层厚度降至微米量级,将能量探测下限由30keV扩展至3keV。

GSB型小电极宽能高纯锗探测器配置高性能阻容反馈前置放大器，性能优异,长期稳定性好。也可配置独立研发的脉冲反馈前置放大器,适用于高计数率应用场景。使用任意一种前置放大器，GSB型高纯锗探测器均与市场主流谱仪产品兼容。



制冷方式

Refrigeration method



GSB型小型宽能高纯锗探测器型号与性能指标
型号相对探测效率能量分辨率(keV)峰形指标峰康比端窗直径
(%)@5.9keV@122keV@1332keV(FW.1M/FWHM)(typ.)(mm)

GSB-5020

9

0.35

0.65

1.80

1.90

3576

GSB-5020T

9

0.35

0.65

1.75

1.90

3676

GSB-6020

13

0.40

0.65

1.80

1.90

3583

GSB-6020T

13

0.35

0.65

1.75

1.90

3683

GSB-6025

18

0.40

0.70

1.80

1.90

40
83

GSB-6025T

18

0.35

0.65

1.75

1.90

4183

GSB-7020

20

0.45

0.72

1.85

1.95

4095

GSB-7020T

20

0.40

0.65

1.75

1.95
4195
GSB-702526

0.45

0.70

1.85

1.9540
95

GSB-7025T

26

0.40

0.65

1.75

1.954195

GSB-7030

34

0.45

0.72

1.85

2.0042
95

GSB-7030T

34

0.40

0.65

1.78

2.004395

GSB-8025

37

0.50

0.75

1.85

2.004295

GSB-8025T

37

0.50

0.72

1.78

2.004395

GSB-8030

48

0.47

0.72

1.85

2.0054
95

GSB-8030T

48

0.42

0.67

1.78

2.005595

GSB-8530

52

0.47

0.72

1.85

2.0054102
GSB-8530T52

0.42

0.67

1.78

2.0055102

GSB-9030

60

0.50

0.75

1.95

2.0064
102

GSB-9030T

600.470.721.852.0065102



GSB型小型宽能高纯锗探测器标准配置可选配置
前置放大器低噪声阻容反馈前置放大器高计数率脉冲反馈前置放大器(-PF)
端窗铝窗

碳窗(-WC)

铍窗(-WB)

制冷形式普通液氮杜瓦制冷

电制冷(-DE)

混合制冷(-DH)

冷指形式垂直冷指

L型冷指(-CL)

U型冷指(-CU)

线缆

配备1.5m长电缆

1根高压输入(SHV)

1根前放供电(DB9)

1根信号输出(BNC)

1根高压保护输出(BNC)

1根测试信号输入(BNC)

可定制
低本底否可选低本底或超低本底材料选项

(标配端窗为碳窗,可选铝窗、铍窗)

具体请联系我们