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GSB型小电极宽能高纯锗探测器

产品结构

product structure


产品特性

Product features

1.小电极结构可以获得更优异的探测能量分辨力

2.使用独立研发的薄入射电极,能量范围可达3keV~10MeV

3.产品系列齐全,相对探测效率覆盖10%至60%

4.能量分辨率、峰形指标优异,稳定性好

5.提供多种前置放大器、冷指形状、端窗、制冷方式选项

6.兼容性好,适配市场上主流谱仪产品



产品介绍

Product introduction

GSB型小电极宽能高纯锗探测器采用小电极结构，有效减少探测器电容，可以获得比P型同轴探测器更好的探测器能量分辨率,同时采用清华大学团队自主研发的新型电极工艺,死层厚度降至微米量级,将能量探测下限由30keV扩展至3keV。

GSB型小电极宽能高纯锗探测器配置高性能阻容反馈前置放大器，性能优异,长期稳定性好。也可配置独立研发的脉冲反馈前置放大器,适用于高计数率应用场景。使用任意一种前置放大器，GSB型高纯锗探测器均与市场主流谱仪产品兼容。



制冷方式

Refrigeration method



GSB型小型宽能高纯锗探测器型号与性能指标
型号 相对探测效率 能量分辨率(keV) 峰形指标 峰康比 端窗直径
(%) @5.9keV @122keV @1332keV (FW.1M/FWHM) (typ.) (mm)

GSB-5020

 9

0.35

0.65

1.80

1.90

 35 76

GSB-5020T

 9

0.35

0.65

1.75

1.90

 36 76

GSB-6020

 13

0.40

0.65

1.80

1.90

 35 83

GSB-6020T

 13

0.35

0.65

1.75

1.90

 36 83

GSB-6025

 18

0.40

0.70

1.80

1.90

 40
 83

GSB-6025T

 18

0.35

0.65

1.75

1.90

 41 83

GSB-7020

 20

0.45

0.72

1.85

1.95

 40 95

GSB-7020T

 20

0.40

0.65

1.75

 1.95
 		41 95
GSB-7025 26

0.45

0.70

1.85

 1.95 40
 95

GSB-7025T

 26

0.40

0.65

1.75

 1.95 41 95

GSB-7030

 34

0.45

0.72

1.85

 2.00 42
 95

GSB-7030T

 34

0.40

0.65

1.78

 2.00 43 95

GSB-8025

 37

0.50

0.75

1.85

 2.00 42 95

GSB-8025T

 37

0.50

0.72

1.78

 2.00 43 95

GSB-8030

 48

0.47

0.72

1.85

 2.00 54
 95

GSB-8030T

 48

0.42

0.67

1.78

 2.00 55 95

GSB-8530

 52

0.47

0.72

1.85

 2.00 54 102
GSB-8530T 52

0.42

0.67

1.78

 2.00 55 102

GSB-9030

 60

0.50

0.75

1.95

 2.00 64
 102

GSB-9030T

60 0.47 0.72 1.85 2.00 65 102



GSB型小型宽能高纯锗探测器 标准配置 可选配置
前置放大器 低噪声阻容反馈前置放大器 高计数率脉冲反馈前置放大器(-PF)
端窗 铝窗

碳窗(-WC)

铍窗(-WB)
制冷形式 普通液氮杜瓦制冷

电制冷(-DE)

混合制冷(-DH)
冷指形式 垂直冷指

L型冷指(-CL)

U型冷指(-CU)
线缆

配备1.5m长电缆

1根高压输入(SHV)

1根前放供电(DB9)

1根信号输出(BNC)

1根高压保护输出(BNC)

1根测试信号输入(BNC)

 可定制
低本底 否 可选低本底或超低本底材料选项

(标配端窗为碳窗,可选铝窗、铍窗)

具体请联系我们